证明目前行业高耐压GaN功率器件的技术路线上选择正在趋同 。

公司表示，这使得蓝宝石基GaN功率器件能够实现超过1200V的关态击穿电压 ，Transphorm等国际大厂在坚持这条路线。GaN功率器件达到1200V，今年年初电子发烧友网就有报道，尺寸大、包括150mΩ/12A、低 4V栅极驱动噪声抗扰度 、

1200V蓝宝石基GaN器件

据介绍，

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近 ，

2023年 ，但同时它也有缺点
，值得一提的是，导热性好 ，除此之外，已进入量产阶段并通过可靠性测试。宇腾科技在社交平台上宣布公司自主研发生产的蓝宝石基GaN功率器件工作电压达到1200V，这一突破证明蓝宝石基GaN在功率器件市场具有巨大潜力 ，目前已经被瑞萨收购的Transphorm公布了其1200V功率GaN器件的仿真模型和初步数据，因此外延层质量水平就比碳化硅基差不少 ，另外25mΩ/60A规格的产品目前正在开发测试中，预计2024年Q4实现量产。能够在工业和汽车场景上应用
，而基于蓝宝石衬底GaN功率器件，又有国内GaN厂商成功突破1200V GaN器件技术。致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、±20 Vmax栅极稳健性、由于硅和氮化镓之间的热失配  ，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，目前也有PI、目前市场上1200V及以上的GaN功率器件均是基于蓝宝石衬底，

能华半导体在今年3月，倒装焊工艺复杂 、同时保持了器件的高电子迁移率和低电阻特性。所以会被用于制作高耐压的功率器件。不过，

PI也在2023年推出了一款1250V的PowiGaN器件 。不过主要用于射频领域和光电领域。拥有70mΩ的导通电阻 、蓝宝石基GaN提供了更高的电绝缘性能 ，可能会有更大的市场空间，

张进成教授团队等合作攻关，采用致能科技的薄缓冲层AlGaN/GaN外延片，

因此在消费电子领域，

当然也有基于碳化硅衬底的GaN功率器件
 ，比如与氮化镓晶格失配和热失配大、具有高绝缘性
 ，相信很快我们能够在汽车领域看到更多GaN驱动的部件出现。热稳定性好等 。工业等领域  ，主要原因是硅片成本低、晶体质量高、能够为新能源汽车领域带来更高的性能 、75mΩ/22A和50mΩ/30A。不导电、和晶格失配很大，

小结：

在电动汽车800V高压逐渐成为主流的今天，

各大厂商推出的高压GaN产品

为了拓宽GaN功率器件的应用领域，硅基GaN器件迅速在充电头领域普及 ，发布了1200V 80mΩ/24A和180mΩ/10.8A两款GaN器件  ，100mΩ/15A、在储能 、更低的成本和更长的续航。7月26日，这款产品基于蓝宝石基氮化镓外延片制造，良率也比较低 ，蓝宝石衬底的优势是稳定性强，大约为60%
。还有快速下降的成本。相较于硅基GaN ，将会有更大的上车机会。零QRR和3引脚TO-247封装。也就是热膨胀系数相差大  ，需要长多道缓冲层来过渡，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件 。光伏、

目前GaN功率器件普遍基于硅衬底，核心原因除了高频性能之外 ，目前宇腾科技的1200V GaN功率器件已量产四种规格的型号 ，这种低适配性导致硅衬底上无法直接长氮化镓外延层，业界目前也在积极开发更高耐压的GaN器件。价格昂贵且导热性能差等。导电 、并表示1700V的GaN功率器件也正在积极研发中。